那是不是因为贵，所以才没有下放到消费级市场呢?
就算hbm内存再贵也不可能贵到哪里去，几百块的成本消费者都是承受得起的。
消费者：我们是缺那几百块的人吗？
实际上并不是的。
这其中有三个问题在里面。
第一个就是成本问题，虽然这个是小问题，但是厂家们不得不重视这个问题。
第二个问题技术手机cpu根本用不到这么高带宽的内存。
第三个问题就是hbm内存的延迟实在是太高了。
就因为这三个因素厂家们不得不放弃hbm内存。
曹莽所购买的hmbsr内存采用全新的设计，解决了hbm内存当前所有的问题。
更低廉的制造成本，更低的读取写入延迟。
曹莽购买的第二件产品就是kos存储内存技术。
目前市面上采用的都是emmc和usf这两种内存。
emmc目前是最当红的便携移动产品解决方案，目的在于简化终端产品存储器的设计。
由于nand flash芯片的不同厂牌包括三星、东芝或海力士、镁光等，但设计厂商在导入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有1个技术能够通用所有厂牌的nand flash芯片。
这样内存唯一的优势就是便宜，它的缺点就是读写效率比较低。
这种内存目前为止最高读取效率为400mb/s，写入效率是70mb/s。（特指2015年。）
usf内存是2011年电子设备工程联合委员会，发布了第一代通用闪存存储标准，即ufs 2.0的前身。
不过第一代的ufs并不受欢迎，也没有对emmc标准产生明显的影响。
到了2013年，jedec在当年9月发布了ufs 2.0的新一代闪存存储标准。
ufs 2.0闪存读写速度理论上可以达到1400mb/s，不仅比emmc有更巨大的优势，而且它甚至能够让电脑上使用的ssd也相形见绌。
于是后来逐渐在高端设备市场上取代emmc，成为移动设备的主流标配。
而实际上，ufs 2.0共有两个版本，其中一个是hs-g2，也就是目前的ufs 2.0。
然而，另个一个版本则为hs-g3，可以称为ufs 2.1，其数据读取速度将飙至1.5g/s，也就是ufs 2.0的两倍。
kos存储内存最好的读写效率可以达到30g/s，而且它还拥有更高的寿命和容量。
（效率视设计而定，曹莽购买的是第一代kos内存技术，第一代技术读写效率5.0g/s）
曹莽购买的最后一项技术就是芯片叠加技术。
这一项技术其实并不是什么先进的技术。
并不是只有华威一家研究过这一项技术，早在五六年前英特尔和amd就拥有这项技术了。
只是这两家通过叠加生产出来的cpu由于功耗过高不得不放弃这一种技术。
曹莽所购买的芯片叠加技术能够解决功耗过高的问题吗？
可能说能也可以说不能。
因为能量恒守是不可改变的事情，两颗芯片叠加它的功耗注定会增加。
曹莽所购买的技术只是降低了一部分芯片叠加后的功耗而已。
这技术降低了大概48%左右的功耗。
有了这项技术14纳米击败7纳米不是什么大问题。
唯一的缺点就是功耗。
对于这个问题曹莽的解决方法就是堆电池。
大幅度增加电池的容量。
对比研发光刻机增加电池容量简单许多。
这也是解决芯片封禁最简单最快速的处理方法。
而且也是成本最低的解决方法。
(本章完)